環(huán)氧塑封是IC主要封裝形式，因此本節(jié)主要針對(duì)塑封器件得開(kāi)封做簡(jiǎn)單介紹。

環(huán)氧塑封器件開(kāi)封方法有化學(xué)方法、機(jī)械方法和等離子體刻蝕 法，化學(xué)方法是最廣泛使用得方法，又分手動(dòng)開(kāi)封和機(jī)械開(kāi)封兩種。

（1）手動(dòng)開(kāi)封

發(fā)煙硝酸或發(fā)煙硝酸和發(fā)煙硫酸得混酸。125～ 150℃烘焙約一小時(shí)，驅(qū)除水汽（建議）；X射線透射技術(shù)確定芯片在 器件中得位置和大小等離子刻蝕法（建議）；用機(jī)械法磨去頂蓋一部分或在芯片上方開(kāi)個(gè)圓孔，直到離芯片非常薄為止（建議）加熱發(fā)煙硝酸至60～70℃，用吸液管滴到黑膠表面，待反應(yīng)后用丙酮沖洗、烘干，重復(fù)上述步驟直至芯片完全暴露；去離子水超聲波振蕩清洗，最后甲醇超聲波振蕩清洗，直至表面干凈。手動(dòng)開(kāi)封得優(yōu)點(diǎn)是方便、便宜；缺點(diǎn)是小尺寸封裝、新型封裝類(lèi)型開(kāi)封效果不理想，對(duì)操作員得經(jīng)驗(yàn)、技巧依賴(lài)性較高。

（2）自動(dòng)開(kāi)封

環(huán)氧封裝噴射腐蝕（Jet Etch），即對(duì)器件進(jìn)行部分開(kāi)封，暴露芯片表面或背面，但保留芯片、管腳和內(nèi)引線和壓焊點(diǎn)得完整性及電學(xué)性能完整，為后續(xù)失效定位和檢測(cè)做準(zhǔn)備。Jet Etch 工作原理為在器件得芯片位置處得環(huán)氧樹(shù)脂塑封料表面，用機(jī)械法磨去一部分，或在芯片上方開(kāi)一個(gè)與芯片面積相當(dāng)?shù)每祝钡诫x芯片非常薄為止。

將器件倒置并使芯片位置中心正對(duì)Jet Etch機(jī)臺(tái)得出液孔， 加熱得發(fā)煙硝酸或脫水/發(fā)煙硫酸，亦可為混酸，經(jīng)由內(nèi)置真空泵產(chǎn)生得負(fù)壓，通過(guò)小孔噴射到芯片上方得塑封料進(jìn)行局部腐蝕，直到芯片完全露出。加熱得發(fā)煙硝酸或脫水硫酸對(duì)塑料有較強(qiáng)得腐蝕作用，但對(duì)硅片，鋁金屬化層和內(nèi)引線得腐蝕作用緩慢，操作時(shí)合理設(shè)定液體流量、流速以及所用酸得選擇，綜合考慮封裝類(lèi)型，芯片得大小、厚 薄等因素，在成功暴露芯片時(shí)能保證器件電性性能得完整性，如圖 14.3和圖14.4所示。

相對(duì)于手動(dòng)開(kāi)封，Jet Etch具有安全、酸得選擇性多、對(duì)鋁金屬層腐蝕性小、精度/可靠性高等優(yōu)勢(shì)；但設(shè)備得成本較高，對(duì)某些新型塑封材料反應(yīng)速度慢，易造成鋁金屬和內(nèi)引線腐蝕，對(duì)于CSP和腔在下形式得封裝是一大挑戰(zhàn)。此外，由于硝酸和銅會(huì)發(fā)生反應(yīng)，使得對(duì)銅內(nèi)引線封裝器件開(kāi)封變得極具挑戰(zhàn)性。

（3）等離子體刻蝕開(kāi)封法（Plasma decapsulation）

利用氧等離子體去除有機(jī)環(huán)氧樹(shù)脂密封料。離子體刻蝕，又稱(chēng)干法刻蝕，是分析實(shí)驗(yàn)室必備樣品制備組裝置之一。等離子體刻蝕開(kāi)封法適用于所有塑封器件，反應(yīng)表面較化學(xué)濕法開(kāi)封干凈，選擇比高、對(duì)芯片腐蝕小； 但反應(yīng)速度慢，相對(duì)于化學(xué)開(kāi)封得以分鐘為單位，氧等離子體刻蝕則以小時(shí)為單位。實(shí)際運(yùn)用時(shí)常加CF4以增加反應(yīng)速率(e.g.70% CF4 +30% O2)。當(dāng)刻蝕接近芯片表面時(shí)，改用氧等離子體，以防CF4 腐蝕金線和芯片得鈍化層。

（4）熱機(jī)械開(kāi)封（thermomechanical decapsulation）

通過(guò)磨、 撬、加熱等方法，主要針對(duì)金屬封裝得器件或失效機(jī)理是污染物或腐蝕相關(guān)。熱機(jī)械開(kāi)封不經(jīng)歷化學(xué)反應(yīng)，有效保護(hù)鋁墊bond pad原始現(xiàn)場(chǎng)，保證了后續(xù)化學(xué)元素分析和表面分析結(jié)果得可信度，適用于失效機(jī)理是污染物或腐蝕相關(guān)得分析案例。但此法會(huì)導(dǎo)致塑封器件金線斷裂或金球（gold ball）脫落，破壞器件得電學(xué)性能完整性，易造成芯片斷裂，對(duì)操作員經(jīng)驗(yàn)、技巧依賴(lài)性極高。

（5）激光幫助開(kāi)封（laser assisted decapsulation）

隨著封裝技術(shù)得發(fā)展和尺寸小型化要求，尤其CSP封裝得出現(xiàn)和廣泛應(yīng)用，現(xiàn)有開(kāi)封技術(shù)精確度很難達(dá)到要求。激光幫助開(kāi)封得精準(zhǔn)性在一定程度上滿足了上述要求。UV激光幫助開(kāi)封對(duì)有機(jī)物得去除能力強(qiáng)、平整性好， 但環(huán)氧樹(shù)脂塑封料中常含一定量得填充物，對(duì)開(kāi)封得平整性產(chǎn)生負(fù)面影響，同時(shí)，價(jià)格較為昂貴。