在電力電子行業(yè)得發(fā)展過(guò)程中，半導(dǎo)體技術(shù)起到了決定性作用。其中，功率半導(dǎo)體器件一直被認(rèn)為是電力電子設(shè)備得關(guān)鍵組成部分。

通信電源是服務(wù)器、基站通訊得能源庫(kù)，為各種傳輸設(shè)備提供電能，保證通訊系統(tǒng)正常運(yùn)行。功率硅器件得應(yīng)用已經(jīng)相當(dāng)成熟，但隨著日益增長(zhǎng)得行業(yè)需求，硅器件由于其本身物理特性得限制，已經(jīng)開(kāi)始不適用于一些高壓、高溫、高效率及高功率密度得應(yīng)用場(chǎng)合。

半導(dǎo)體技術(shù)一直是推動(dòng)電力電子行業(yè)發(fā)展得決定性力量。SiC在物理特性上擁有高度穩(wěn)定得晶體結(jié)構(gòu)，其能帶寬度幾乎是Si材料得兩倍以上，與Si材料相比，SiC得擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si得十倍多，因此SiC器件得阻斷電壓比Si器件高很多。

在SiC MOSFET得開(kāi)發(fā)與應(yīng)用方面，與相同功率等級(jí)得Si MOSFET相比，SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于更高得工作頻率，另外，由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。碳化硅MOSFET得高頻特性使得電源電路中得磁性單元體積更小、重量更輕，電源整體效率更高；碳化硅肖特基二極管反向恢復(fù)幾乎為零得特性使其在許多PFC電路中具有廣闊得應(yīng)用前景。