投資者提問：

尊敬的董秘您好：據悉已于2018 年 6 月在青島市即墨區(qū)投資設立“聚能晶源（青島）半導體材料有限公司”，主要從事半導體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設計、開發(fā)、生產，該公司投資建設的第三代半導體材料制造項目（一期）已于 2019 年 9 月達到投產條件，正式投產。請問以上氮化鎵外延材料項目投產，在氮化鎵領域具有什么技術優(yōu)勢和地位？謝謝！

董秘回答(耐威科技SZ300456)：

您好，公司GaN（氮化鎵）業(yè)務團隊曾主導建立了亞洲及我國首個8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）器件研發(fā)與制造平臺，開發(fā)成功我國首例8英寸硅基氮化鎵功率器件產品，截止目前在IEDM、EDL、APL等國際業(yè)界知名會議、期刊發(fā)表論文30余篇，申請國內外專利10余項。核心團隊具備功率與微波器件，尤其是氮化鎵（GaN）功率與微波器件的設計、開發(fā)所需的技術能力。公司控股子公司聚能晶源所研制的8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓達到業(yè)界領先水平，在實現了650V/700V高耐壓能力的同時，保持了外延材料的高晶體質量、高均勻性與高可靠性，可以完全滿足產業(yè)界中高壓功率電子器件的應用需求，且在采用國際業(yè)界嚴苛判據標準的情況下在材料、機械、電學、耐壓、耐高溫、壽命等方面具有性能優(yōu)勢，擁有相應的競爭潛力。謝謝關注！

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